onsemi NTR1P02LT3G

Name: onsemi NTR1P02LT3G
Brand: onsemi
SKU: NTR1P02LT3G

P-Channel 20 V 220 mOhm 400 mW Surface Mount Power Mosfet - SOT-23

$ 0.107

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		NTR1P02LT3G	10.000	10K						0,066	7h
Newark	2	NTR1P02LT3G	130	1	Cut Tape	0,023	0,023	0,023	0,023	0,023
Master Electronics		NTR1P02LT3G	48.000	500					0,107	0,076
Onlinecomponents.com		NTR1P02LT3G	48.000	500	Bulk				0,107	0,076
Verical	2	NTR1P02LT3G	9.950	22				0,155	0,092	0,067

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IHS

Datasheet7 SeitenVor 6 Jahren

Electro Sonic

RS (Formerly Allied Electronics)

onsemi

Farnell

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Dieser Teil

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onsemiNTR1P02LT3G

onsemiNTR1P02LT1G

Price @ 1000

$ 0.107

$ 0.11

Stock

860,111

6,564,657

Authorized Distributors

Mount

Case/Package

SOT-23-3

Drain to Source Voltage (Vdss)

-20 V

Continuous Drain Current (ID)

1.3 A

Threshold Voltage

-1 V

Rds On Max

220 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

12 V

Power Dissipation

400 mW

Input Capacitance

225 pF

Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2001-12-12

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi NTR1P02LT3G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

P-Channel 20 V 220 mOhm 400 mW Surface Mount Power Mosfet - SOT-23

Future Electronics

NTR1P02LT3G P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 1.3 A, 20 V, 3-PIN SOT-23

RS (Formerly Allied Electronics)

Single P-Channel Power MOSFET -20V, -1.3A, 220mΩ

onsemi

20V 1.3A 220mΩ@750mA,4.5V 400mW 1.25V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS

EBEE

Small Signal Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236

IHS

MOSFET, P CHANNEL, -20V, -1.3A, SOT-23-3; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -1.3A; Drain Source Voltage Vds: -20V; On Resistance Rds(on): 0.14ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5V; Threshold Voltage

Farnell

Bilder

RS (Formerly Allied Electronics)

Newark

Future Electronics

Component Sense

Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

NTR1P02LT3G.

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSOT-23-3

Contact PlatingTin

Number of Pins3

Number of Terminals3

Technical

Continuous Drain Current (ID)1.3 A

Drain to Source Breakdown Voltage-20 V

Drain to Source Resistance220 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time20 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)12 V

Input Capacitance225 pF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation400 mW

Min Breakdown Voltage20 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs-1 V

Number of Elements1

PackagingTape and Reel

Power Dissipation400 mW

Rds On Max220 mΩ

Resistance220 MΩ

Rise Time15 ns

Schedule B8541210080

Threshold Voltage-1 V

Turn-Off Delay Time18 ns

Turn-On Delay Time7 ns

Dimensions

Height1.01 mm

Length3.04 mm

Width1.4 mm

Datenblätter und Dokumente

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