onsemi NTR1P02LT1G

Name: onsemi NTR1P02LT1G
Brand: onsemi
SKU: NTR1P02LT1G

NTR1P02LT1: Small Signal MOSFET 20V 1.3A 220 mOhm Single P-Channel SOT-23 Logic Level

$ 0.11

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Future Electronics	3	NTR1P02LT1G	1.074.000	3K	Tape & Reel	0,082
Arrow Electronics		NTR1P02LT1G	48.000	3K		0,069
Verical	2	NTR1P02LT1G	48.000	3K		0,074
Master Electronics		NTR1P02LT1G	48.000	3K		0,074
Onlinecomponents.com		NTR1P02LT1G	48.000	3K	Bulk	0,074

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IHS

Datasheet7 SeitenVor 6 Jahren

JRH Electronics

Farnell

element14 APAC

Newark

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onsemiNTR1P02LT1G

onsemiNTR1P02LT3G

Price @ 1000

$ 0.11

$ 0.107

Stock

6,624,478

775,253

Authorized Distributors

Mount

Case/Package

SOT-23-3

Drain to Source Voltage (Vdss)

-20 V

Continuous Drain Current (ID)

1.3 A

Threshold Voltage

-1 V

Rds On Max

220 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

12 V

Power Dissipation

400 mW

Input Capacitance

225 pF

Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2001-12-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi NTR1P02LT1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

NTR1P02LT1: Small Signal MOSFET 20V 1.3A 220 mOhm Single P-Channel SOT-23 Logic Level

North Star Micro

Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R / MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23

Win Source

Single P-Channel Power MOSFET -20V, -1.3A, 220mΩ

onsemi

Single P-Channel 20 V 0.35 Ohm 3.1 nC 400 mW Silicon SMT Mosfet - SOT-23

Future Electronics

Power MOSFET, P Channel, 20 V, 1.3 A, 0.22 ohm, SOT-23, Surface Mount

Avnet

20V 1.3A 400mW 220m´Î@4.5V750mA 1.25V@250Ã×A P Channel SOT-23(SOT-23-3) MOSFETs ROHS

Dasenic

POWER MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236

ComSIT Distribution GmbH

P Channel Mosfet, -20V, 1.3A Sot-23, Full Reel; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:20V; Continuous Drain Current Id:1.3A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:4.5V; Power Dissipation:400Mw Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTR1P02LT1G.

Newark

Bilder

Rochester Electronics

iiiC

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

NTR1P02LT1G.
NTR1P02LT1G..

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSOT-23-3

Contact PlatingTin

Number of Pins3

Number of Terminals3

Technical

Continuous Drain Current (ID)1.3 A

Current Rating-1.3 A

Drain to Source Breakdown Voltage-20 V

Drain to Source Resistance220 mΩ

Element ConfigurationSingle

Fall Time15 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)12 V

Input Capacitance225 pF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation400 mW

Min Breakdown Voltage20 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

PackagingTape and Reel

Power Dissipation400 mW

Rds On Max220 mΩ

Resistance220 MΩ

Rise Time15 ns

Schedule B8541210080

Threshold Voltage-1 V

Turn-Off Delay Time18 ns

Turn-On Delay Time7 ns

Voltage Rating (DC)-20 V

Dimensions

Height940 µm

Length2.9 mm

Width1.3 mm

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