Infineon IRF7104TRPBF
$ 0.42
NRND
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | IRF7104TRPBF | 246 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | IRF7104TRPBF | 3.596 | 1 | |||||||||
| DigiKey | IRF7104PBFCT-ND | 2.495 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | IRF7104TRPBF | 0 | 4K | Tape & Reel | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF7104TRPBF | 0 | 20 | Bulk | 10h |
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Verwandte Teile
InfineonIRF7324D1TRPBF
-20V FETKY - MOSFET AND SCHOTTKY DIODE IN A SO-8 PACKAGE | Infineon IRF7324D1TRPBF
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF7104TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET, Power;Dual P-Ch;VDSS -20V;RDS(ON) 0.25Ohm;ID -2.3A;SO-8;PD 2W;VGS +/-12V
Dual P-Channel 20V 0.25 Ohm 9.3 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R / MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current, Id:-2.3A; On Resistance, Rds(on):400mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:12V; Package/Case:8-SO; Power Dissipation, Pd:2W ;RoHS Compliant: Yes
Transistor Polarity = P-Channel / Configuration = Dual / Continuous Drain Current (Id) A = -2.3 / Drain-Source Voltage (Vds) V = -20 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 250 / Gate-Source Voltage V = 12 / Fall Time ns = 30 / Rise Time ns = 16 / Turn-OFF Delay Time ns = 42 / Turn-ON Delay Time ns = 12 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SO-8 / Pins = 8 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 2
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.3 A
Current Rating-2.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance250 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Element ConfigurationDual
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance290 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
On-State Resistance250 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2 W
Rds On Max250 mΩ
Resistance250 mΩ
Rise Time16 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-3 V
Turn-Off Delay Time42 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Voltage Rating (DC)-20 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen