onsemi NTMD4N03R2G

Name: onsemi NTMD4N03R2G
Brand: onsemi
SKU: NTMD4N03R2G

NTMD4N03R2G Dual N-channel Mosfet Transistor, 4 A, 30 V, 8-PIN SOIC

$ 0.336

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Verical	3	NTMD4N03R2G	1.797	982					0,382	0,314
Master Electronics		NTMD4N03R2G	2.500	100				0,513	0,333	0,270
Onlinecomponents.com		NTMD4N03R2G	2.500	100	Bulk			0,513	0,333	0,270
Rochester Electronics		NTMD4N03R2G	20.284					0,340	0,282	0,251	17h
DigiKey	3	NTMD4N03R2GOSCT-ND	15.722	1	Cut Tape	1,250	0,786	0,516	0,363	0,278

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IHS

Datasheet10 SeitenVor 6 Jahren

Upverter

Master Electronics

onsemi

Farnell

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onsemiNTMD4N03R2G

onsemiNTMD4N03R2

Price @ 1000

$ 0.336

$ 0.186

Stock

1,286,570

64,770

Authorized Distributors

Mount

Case/Package

SOIC

Drain to Source Voltage (Vdss)

30 V

Continuous Drain Current (ID)

4 A

Threshold Voltage

Rds On Max

60 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

2 W

Input Capacitance

400 pF

Lieferkette

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi NTMD4N03R2G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

NTMD4N03R2G DUAL N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 4 A, 30 V, 8-PIN SOIC

RS (Formerly Allied Electronics)

N-Channel 30 V 48 mOhm 2 W Surface Mount Power MOSFET - SOIC-8

Future Electronics

Power MOSFET 30V 4A 60 mOhm Dual N-Channel S0-8

onsemi

30 VOLTS, 4 AMPS, N-CHANNEL SO-8 DUAL POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 0.06ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

ComSIT Distribution GmbH

MOSFET, DUAL N-CH, 30V, 4A, SOIC; Transistor Polarity: Dual N Channel; Continuous Drain Current Id: 4A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.048ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1.9V

Farnell

N Channel Mosfet, 30V, 4A, Soic, Full Reel; Channel Type:Dual N Channel; Drain Source Voltage Vds N Channel:30V; Drain Source Voltage Vds P Channel:-; Continuous Drain Current Id N Channel:4A; Continuous Drain Current Id P Channel:- Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTMD4N03R2G.

Newark

Bilder

Farnell

RS (Formerly Allied Electronics)

LZChips

Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

NTMD4N03R2G.

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSOIC

Contact PlatingTin

Number of Pins8

Number of Terminals8

Technical

Continuous Drain Current (ID)4 A

Current Rating4 A

Drain to Source Breakdown Voltage30 V

Drain to Source Resistance60 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)30 V

Element ConfigurationDual

Fall Time10 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance400 pF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation2 W

Min Breakdown Voltage30 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements2

PackagingTape and Reel

Power Dissipation2 W

Rds On Max60 mΩ

Resistance48 MΩ

Rise Time14 ns

Schedule B8541290080

Turn-Off Delay Time16 ns

Turn-On Delay Time7 ns

Voltage Rating (DC)30 V

Dimensions

Height1.5 mm

Length5 mm

Width4 mm

Datenblätter und Dokumente

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