onsemi NTMD4N03R2
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Obsolete
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Price @ 1000
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$ 0.348
Stock
110,849
1,332,347
Authorized Distributors
2
6
Mount
-
-
Case/Package
-
SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss)
-
30 V
Continuous Drain Current (ID)
4 A
4 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
60 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
2 W
2 W
Input Capacitance
-
400 pF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-02-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonBSL606SNH6327XTSA1
2KW 20V 2.3V 4.1nC@ 5V 1N 60V 60m¦¸@ 10V 170mA 566pF@ 25V TSOP-6-6 , 3mm*1.5mm*1.1mm
Diodes Inc.ZXMN3F30FHTA
ZXMN3F30 Series 30 V 0.047 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTMD4N03R2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-CHANNEL SEPARATE 2ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE 8 EAR99 Mosfet Array 4A 2W 30V 0.06Ohm
MOSFETs- Power and Small Signal 30V 4A N-Channel No-Cancel/No-Return
TRANS MOSFET N-CH 30V 4A 8SOIC N
4 A 30 V 0.06 ohm 2 CHANNEL N-CHANNEL Si POWER MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 0.06ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)4 A
Current Rating4 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance60 mΩ
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
Power Dissipation2 W
Rise Time14 ns
Turn-Off Delay Time16 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSNon-Compliant
Compliance-Erklärungen