onsemi NTD85N02R-1G
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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Datenblätter und Dokumente
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Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 0.175
Stock
412,623
237,082
Authorized Distributors
0
2
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-251-3
TO-251-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
24 V
24 V
Continuous Drain Current (ID)
85 A
85 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
5.2 mΩ
5.2 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
2.4 W
2.4 W
Input Capacitance
2.05 nF
2.05 nF
Lieferkette
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
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Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 12.5A Ta 110A Tc 110A 2.88W 21ns
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Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTD85N02R-1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 12A Ta 85A Tc 85A 2.4W 12ns
Power MOSFET 24V 85A 5.2 mOhm Single N-Channel DPAK
Trans MOSFET N-CH 24V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
MOSFETs- Power and Small Signal 24V 85A N-Channel
Power Field-Effect Transistor, 85A I(D), 24V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins4
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)85 A
Current Rating85 A
Drain to Source Breakdown Voltage24 V
Drain to Source Resistance5.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)24 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.05 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation78.1 W
Min Breakdown Voltage24 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2.4 W
Rds On Max5.2 mΩ
Rise Time77 ns
Turn-Off Delay Time25 ns
Voltage Rating (DC)24 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen