onsemi NTD4855N-1G
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Obsolete
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Lieferkette
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
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Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 12.5A Ta 110A Tc 110A 2.88W 21ns
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Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 12.7A Ta 95A Tc 95A 2.24W 8ns
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Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 11.4A Ta 78A Tc 78A 64W 42ns
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTD4855N-1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 14A Ta 98A Tc 17.7A 2.24W 4.35ns
Power MOSFET 25V 98A 4.3 mOhm Single N-Channel DPAK
Trans MOSFET N-CH 25V 18A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
14 A 25 V 0.006 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET
Power MOSFET 25V 97A Single N-Channel
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 25V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:17.7A; Drain Source Voltage, Vds:25V; On Resistance, Rds(on):4.3mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:2.5V ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins4
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)14 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4.35 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.95 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation66.7 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2.24 W
Rds On Max4.3 mΩ
Rise Time16.52 ns
Turn-Off Delay Time32.02 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen