onsemi NTD4960N-35G
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Stock
24,110
271,928
Authorized Distributors
1
2
Mount
Through Hole
-
Case/Package
TO-251-3
TO-251-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
8.9 A
13 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
8 mΩ
4.7 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
1.68 W
38.5 W
Input Capacitance
1.3 nF
1.71 nF
Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-08-13
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2012-03-31
LTD Date2012-09-30
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
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Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTD4960N-35G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power MOSFET 30V 55A 8 mohm Single N Channel DPAK
Trans MOSFET N-CH 30V 11.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
Power Field-Effect Transistor, 8.9A I(D), 30V, 0.0127ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 30V 8.9A/55A IPAK
N-CHANNEL POWER MOSFET
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)8.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance12.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.3 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation1.07 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation1.68 W
Rds On Max8 mΩ
Resistance8 MΩ
Rise Time20 ns
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height6.35 mm
Length6.73 mm
Width2.38 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen