onsemi NTD4808N-35G
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -100%
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-04-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 days ago)
LTB Date2011-01-06
LTD Date2011-07-02
Verwandte Teile
onsemiNTD4810N-35G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 9A Ta 54A Tc 54A 2W 2.6ns
onsemiNTD4806N-1G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 11.3A Ta 79A Tc 79A 2.14W 4.7ns
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTD4808N-35G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 10A Ta 63A Tc 63A 2W 5.6ns
MOSFETs- Power and Small Signal NFET 30V 63A 8MOHM
Trans MOSFET N-CH 30V 13.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Power Field-Effect Transistor, 9.8A I(D), 30V, 0.0124ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:63A; On Resistance, Rds(on):8mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:3-IPAK ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -100%
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)9.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance12.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time5.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.538 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation54.6 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2 W
Rds On Max8 mΩ
Rise Time102 ns
Turn-Off Delay Time11 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen