onsemi NTD32N06-1G
$ 0.263
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | NTD32N06-1G | 3.175 | 1140 | |||||||||
| Rochester Electronics | NTD32N06-1G | 3.175 | 16h | |||||||||
| Microchip USA | NTD32N06-1G | 356 | 3500 | Tray | 10h | |||||||
| Win Source | WS-NTD32N06-1G | 20.000 | 130 | 17h | ||||||||
| Worldway Electronics | NTD32N06-1G | 16.318 | 7 | Tube | 16h |
Bestandsverlauf
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-03-26
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2007-09-30
LTD Date2008-03-31
Verwandte Teile
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTD32N06-1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 32A Ta 32A 93.75W 93ns
Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
MOSFETs- Power and Small Signal 60V 32A N-Channel
32 A 60 V 0.026 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 60V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)32 A
Current Rating32 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance26 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time93 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.725 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation93.75 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation93.75 W
Rds On Max26 mΩ
Rise Time84 ns
Turn-Off Delay Time31 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen