onsemi NTD24N06-1G
$ 0.186
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | NTD24N06-1G | 3.148 | 1611 | |||||||||
| Rochester Electronics | NTD24N06-1G | 3.148 | 7h | |||||||||
| Microchip USA | NTD24N06-1G | 214 | 3500 | Tray | 1h | |||||||
| Win Source | WS-NTD24N06-1G | 20.000 | 180 | 8h | ||||||||
| Worldway Electronics | NTD24N06-1G | 21.391 | 7 | Tube | 7h |
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CAD-Modelle
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-07-13
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2007-09-30
LTD Date2008-03-31
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTD24N06-1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 24A Ta 24A 62.5W 27ns
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Trans MOSFET N-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
MOSFETs- Power and Small Signal 24V 60A N-Channel
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Technical
Continuous Drain Current (ID)24 A
Current Rating24 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance32 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time27 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.2 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation62.5 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation62.5 W
Rds On Max42 mΩ
Rise Time24 ns
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height8.63 mm
Datenblätter und Dokumente
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