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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-03-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2009-03-09
LTD Date2009-09-09
Verwandte Teile
InfineonIRLU024NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.065Ohm;ID 17A;I-Pak (TO-251AA);PD 45W
InfineonAUIRLU024Z
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak Package
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi HUF76423D3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin (3+Tab) TO-251 Rail
20 A 60 V 0.04 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-251AA
20A, 60V, 0.037 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETFairchild | MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
PWR MOS ULTRAFET 60V/33A/0.035 OHMS N-CH LL TO-251AA
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Current Rating20 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance40 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time50 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance1.06 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation85 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation85 W
Rds On Max32 mΩ
Rise Time145 ns
Turn-Off Delay Time27 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Datenblätter und Dokumente
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