onsemi NTD3055-150
Obsolete
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 0.405
Stock
43,155
1,812,569
Authorized Distributors
0
6
Mount
-
-
Case/Package
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
9 A
9 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
150 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
1.5 W
28.8 W
Input Capacitance
280 pF
280 pF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-06-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2007-12-31
LTD Date2008-06-30
Verwandte Teile
onsemiNTD4809NH-35G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 9.6A Ta 58A Tc 58A 2W 3ns
onsemiNTD4809NH-1G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 9.6A Ta 58A Tc 58A 2W 3ns
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTD3055-150, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFETs- Power and Small Signal 60V 9A N-Channel No-Cancel/No-Return
9 A 60 V 0.15 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
9A, 60V, 0.15OHM, N-CHANNEL POWER MOSFET;
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Current Rating9 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance150 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time23 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance280 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.5 W
Rise Time37.1 ns
Turn-Off Delay Time12.2 ns
Turn-On Delay Time11.2 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height2.51 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSNon-Compliant
Compliance-Erklärungen