onsemi NSBC114EPDXV6T1
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 0.073
$ 0.073
Stock
237,025
3,688,287
3,688,287
Authorized Distributors
0
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
SOT-563
SOT-563-6
SOT-563-6
Polarity
NPN, PNP
NPN, PNP
NPN, PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
50 V
50 V
50 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
-
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
-
250 mV
250 mV
hFE Min
35
35
35
Power Dissipation
357 mW
-
-
Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-05-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2006-12-31
LTD Date2007-06-30
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Diodes Inc.DDC114EH-7
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 6-Pin SOT-563 T/R / TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NSBC114EPDXV6T1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 / Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Each |Onsemi NSBC114EPDXV6T1
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-563
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current100 mA
Current Rating100 mA
Element ConfigurationDual
hFE Min35
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PolarityNPN, PNP
Power Dissipation357 mW
Voltage Rating (DC)50 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen