onsemi NSBC114EPDXV6T1G
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Stock
3,584,241
919,268
Authorized Distributors
6
2
Mount
-
-
Case/Package
SOT-563-6
SOT-563-6
Polarity
NPN, PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
50 V
-
Max Collector Current
100 mA
100 mA
Transition Frequency
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
250 mV
-
hFE Min
35
35
Power Dissipation
-
357 mW
Lieferkette
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NSBC114EPDXV6T1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
NSBC114EPDXV6T1G Series 50 V 100 mA NPN and PNP Silicon Surface Mount Transistor
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
35@5mA,10V 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased 500mW 100mA 50V 500nA SOT-563 Digital Transistors ROHS
Complementary Bipolar Digital Transistor (BRT)
Brt Transistor, 50V, 10K/10Kohm, Sot-563; Transistor Polarity:Npn And Pnp Complement; Collector Emitter Voltage Max Npn:50V; Collector Emitter Voltage Max Pnp:50V; Continuous Collector Current Npn:100Ma; Power Dissipation Npn:357Mw Rohs Compliant: Yes |Onsemi NSBC114EPDXV6T1G
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-563-6
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight8.193012 mg
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current100 mA
Current Rating100 mA
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
hFE Min35
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape and Reel
PolarityNPN, PNP
Schedule B8541210080
Voltage Rating (DC)50 V
Dimensions
Height550 µm
Length1.6 mm
Width1.2 mm
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen