onsemi NDS331N

Name: onsemi NDS331N
Brand: onsemi
SKU: NDS331N

Transistor MOSFET N Channel 20 Volt 1.3 Amp 3-Pin Supersot Tape And Reel

$ 0.195

Production

Herstellerseite Datenblatt

Preis und Lagerbestand

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	3	NDS331N	3.297.000	3K						0,077	4d
Future Electronics	3	NDS331N	3.012.000	3K	Tape & Reel					0,103
Newark	3	NDS331N	213.434	1	Cut Tape	0,097	0,097	0,097	0,097	0,097
Arrow Electronics	2	NDS331N	7.768	1		0,518	0,342	0,330	0,305	0,289
Verical	4	NDS331N	62.860	66				0,087	0,087	0,087

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IHS

Datasheet9 SeitenVor 5 Jahren

Datasheet7 SeitenVor 28 Jahren

Master Electronics

Upverter

element14 APAC

onsemi

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onsemiNDS331N

Diodes Inc.DMN2300UFB4-7B

Price @ 1000

$ 0.195

$ 0.1

Stock

17,850,976

3,664,626

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SOT-23-3

DFN

Drain to Source Voltage (Vdss)

20 V

Continuous Drain Current (ID)

1.3 A

Threshold Voltage

700 mV

950 mV

Rds On Max

160 mΩ

175 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

8 V

Power Dissipation

500 mW

Input Capacitance

162 pF

64.3 pF

Lieferkette

Country of OriginPhilippines

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95

Introduction Date1996-07-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi NDS331N, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Transistor MOSFET N Channel 20 Volt 1.3 Amp 3-Pin Supersot Tape And Reel

Jameco

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 20V, 1.3A, 0.21Ω

onsemi

MOSFET N-CH 20V 1.3A SSOT3 / Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R

Win Source

Power MOSFET, N Channel, 20 V, 1.3 A, 0.16 ohm, SuperSOT, Surface Mount

EBV Elektronik

Small Signal Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB

Semicontronic

MOSFET,N CH,20V,1.3A,SSOT3; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):150mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:2.7V; Power Dissipation Pd:500mW; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:1.3A; Power Dissipation Pd:500mW; Voltage Vgs Max:8V

element14 APAC

These N-Channel logic level enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage applications in notebook computers, portable phones, PCMCIA cards, and other battery powered circuits where fast switching, and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.

Fairchild Semiconductor

Bilder

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

NDS-331N
NDS331N.
NDS331N...

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSOT-23-3

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight30 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)1.3 A

Current Rating1.3 A

Drain to Source Breakdown Voltage20 V

Drain to Source Resistance160 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)20 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time5 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)8 V

Input Capacitance162 pF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation500 mW

Min Breakdown Voltage20 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs700 mV

Number of Channels1

Number of Elements1

PackagingCut Tape

Power Dissipation500 mW

Rds On Max160 mΩ

Resistance160 mΩ

Rise Time25 ns

Schedule B8541210080

Threshold Voltage700 mV

Turn-Off Delay Time10 ns

Turn-On Delay Time5 ns

Voltage Rating (DC)20 V

Dimensions

Height1.22 mm

Length2.92 mm

Width1.4 mm

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