onsemi MUN5215DW1T1G

Name: onsemi MUN5215DW1T1G
Brand: onsemi
SKU: MUN5215DW1T1G

on Semi MUN5215DW1T1G Dual NPN Bipolar Transistor, 0.1 A, 50 V, 6-PIN SOT-363

$ 0.061

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Future Electronics		MUN5215DW1T1G	27.000	3K	Tape & Reel					0,039
Avnet	2	MUN5215DW1T1G	3.000	3K						0,031	13h
Rochester Electronics		MUN5215DW1T1G	3.000					0,037	0,031	0,028	10h
Arrow Electronics		MUN5215DW1T1G	22.830	1		0,240	0,146	0,087	0,059	0,044
Verical		MUN5215DW1T1G	22.830	291					0,059	0,044

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IHS

Datasheet11 SeitenVor 3 Jahren

Upverter

Newark

Electro Sonic

element14 APAC

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onsemiMUN5215DW1T1G

onsemiMUN5215DW1T1

Price @ 1000

$ 0.061

$ 0.055

Stock

1,433,179

814,022

Authorized Distributors

Mount

Case/Package

SOT-363-6

Polarity

NPN

Collector Emitter Breakdown Voltage

50 V

Max Collector Current

100 mA

Transition Frequency

Collector Emitter Saturation Voltage

250 mV

hFE Min

160

Power Dissipation

256 mW

187 mW

Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1996-11-25

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi MUN5215DW1T1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

ON SEMI MUN5215DW1T1G DUAL NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 0.1 A, 50 V, 6-PIN SOT-363

RS (Formerly Allied Electronics)

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon

IHS

Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)

onsemi

MUN5215DW1 Series 1.4 V 100 mA SMT NPN-Pre-Biased Digital Transistor - SOT-363

Future Electronics

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R

Verical

Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V

Digi-ic_SMART PIONEER

Transistor Polarity:Dual NPN; Collector Emitter Voltage Max NPN:50V; Collector Emitter Voltage Max PNP:-; Continuous Collector Current:100mA; Base Input Resistor R1:10kohm; Base Emitter Resistor R2:-; No. of Pins:6 Pin RoHS Compliant: Yes

Newark

The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. These digital transistors are designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. In the MUN5211DW1T1 series two BRT devices are housed in the SOT-363 package which is ideal for low power surface mount applications where board space is at a premium.

North Star Micro

Bilder

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

MUN5215 DW1T1G
MUN5215DW1T1G.

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSOT-363-6

Contact PlatingTin

Number of Pins6

Number of Terminals6

Technical

Collector Base Voltage (VCBO)50 V

Collector Emitter Breakdown Voltage50 V

Collector Emitter Saturation Voltage250 mV

Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V

Continuous Collector Current100 mA

Current Rating100 mA

Element ConfigurationDual

Emitter Base Voltage (VEBO)6 V

hFE Min160

Max Breakdown Voltage50 V

Max Collector Current100 mA

Max Frequency10 kHz

Max Operating Temperature150 °C

Max Output Current100 mA

Max Power Dissipation385 mW

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements2

Operating Supply Voltage50 V

PackagingTape and Reel

PolarityNPN

Power Dissipation256 mW

Schedule B8541210080

Voltage Rating (DC)50 V

Dimensions

Height1 mm

Length2.2 mm

Width1.35 mm

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