onsemi MUN5213DW1T1G

Name: onsemi MUN5213DW1T1G
Brand: onsemi
SKU: MUN5213DW1T1G

Bipolar Transistors (BJT); MUN5213DW1T1G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 6; 50 V; 100 mA

$ 0.064

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	MUN5213DW1T1G	19.643	5	Cut Tape		0,160	0,104	0,079	0,079
Verical	3	MUN5213DW1T1G	2.900	64				0,089	0,056	0,040
Arrow Electronics	3	MUN5213DW1T1G	4.595	1		0,013	0,013	0,013	0,013	0,013
DigiKey	3	MUN5213DW1T1GOSCT-ND	40.327	1	Cut Tape	0,260	0,157	0,098	0,063	0,063
Flip Electronics		MUN5213DW1T1G	3.000								6d

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IHS

Datasheet11 SeitenVor 3 Jahren

Upverter

Master Electronics

element14 APAC

Farnell

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onsemiMUN5213DW1T1G

onsemiMUN5213DW1T1

Price @ 1000

$ 0.064

$ 0.055

Stock

5,257,167

2,274,806

Authorized Distributors

Mount

Case/Package

SOT-363-6

Polarity

NPN

Collector Emitter Breakdown Voltage

50 V

Max Collector Current

100 mA

Transition Frequency

Collector Emitter Saturation Voltage

250 mV

hFE Min

Power Dissipation

256 mW

187 mW

Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1996-11-25

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi MUN5213DW1T1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Bipolar Transistors (BJT); MUN5213DW1T1G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 6; 50 V; 100 mA

Maritex

DUAL NPN BIAS RESISTOR TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon

ComSIT Distribution GmbH

Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)

onsemi

MUN Series 50 V 100 mA 47 kOhm NPN Silicon Dual Bias Resistor Transistor SOT-363

Future Electronics

MUN5213DW1T1G NPN DIGI TRANSISTOR, 100MA 50 V 47 KOHM, RATIO OF 1, 6-PIN SC-88

RS (Formerly Allied Electronics)

250mV@ 300¦ÌA,10mA 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 385mW 5V 500nA 50V 50V 100mA 2mm*1.25mm*1.1mm

UnikeyIC

2 NPN pre-biased (Dual) 187mW 100mA 50V SC-70-6(SOT-363) Digital Transistors ROHS

Dasenic

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R

Verical

Bipolar Pre-Biased/Digital Transistor, 50 V, 100 Ma, 47 Kohm, 47 Kohm, 1, Sot-363 Rohs Compliant: Yes |Onsemi MUN5213DW1T1G

Newark

BRT TRANSISTOR, 50V, 47K/47KOHM, SC88; C; Digital Transistor Polarity: Dual NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Continuous Collector Current Ic: 100mA; Base Input Resistor R1: 47kohm; Base-Emitter Resistor R2: 47koh

Farnell

The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. These digital transistors are designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. In the MUN5211DW1T1 series two BRT devices are housed in the SOT-363 package which is ideal for low power surface mount applications where board space is at a premium.

North Star Micro

Bilder

Augswan

element14 APAC

RS (Formerly Allied Electronics)

element14 APAC

TME

Rochester Electronics

LZChips

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

MUN5213DW1T1G.

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSOT-363-6

Contact PlatingTin

Number of Pins6

Number of Terminals6

Technical

Collector Emitter Breakdown Voltage50 V

Collector Emitter Saturation Voltage250 mV

Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V

Continuous Collector Current100 mA

Current Rating100 mA

Element ConfigurationDual

hFE Min80

Max Breakdown Voltage50 V

Max Collector Current100 mA

Max Operating Temperature150 °C

Max Output Current100 mA

Max Power Dissipation385 mW

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements2

Operating Supply Voltage50 V

PackagingTape and Reel

PolarityNPN

Power Dissipation256 mW

Schedule B8541210080

Voltage Rating (DC)50 V

Dimensions

Height900 µm

Length2 mm

Width1.25 mm

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