onsemi MUN5212DW1T1G

Name: onsemi MUN5212DW1T1G
Brand: onsemi
SKU: MUN5212DW1T1G

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon

$ 0.064

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	MUN5212DW1T1G	2.665	5	Cut Tape		0,159	0,104	0,071	0,071
Verical		MUN5212DW1T1G	18.000	9678						0,039
Arrow Electronics		MUN5212DW1T1G	225	1		0,232	0,141	0,087	0,087	0,087
Rochester Electronics		MUN5212DW1T1G	24.000					0,037	0,031	0,028	23h
DigiKey	3	MUN5212DW1T1GOSCT-ND	7.604	1	Cut Tape	0,260	0,157	0,098	0,063	0,063

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IHS

Datasheet11 SeitenVor 8 Jahren

Master Electronics

element14 APAC

Newark

element14

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onsemiMUN5212DW1T1G

onsemiMUN5212DW1T1

Price @ 1000

$ 0.064

$ 0.055

Stock

2,078,928

655,769

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SOT-363-6

Polarity

NPN

Collector Emitter Breakdown Voltage

50 V

Max Collector Current

100 mA

Transition Frequency

Collector Emitter Saturation Voltage

250 mV

hFE Min

Power Dissipation

187 mW

250 mW

Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1996-11-25

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi MUN5212DW1T1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon

IHS

Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)

onsemi

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R

Verical

MUN5212DW1 Series 1.9 V SMT NPN-Pre-Biased Digital Transistor - SOT-363

Future Electronics

2 NPN pre-biased (Dual) 256mW 100mA 50V SOT-363 Digital Transistors ROHS

Dasenic

Brt Transistor, 50Vdc, 22K/22K, Sot-363; Transistor Polarity:Dual Npn; Collector Emitter Voltage Max Npn:50V; Collector Emitter Voltage Max Pnp:-; Continuous Collector Current:100Ma; Base Input Resistor R1:22Kohm; No. Of Pins:6 Pin Rohs Compliant: Yes |Onsemi MUN5212DW1T1G.

Newark

The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. These digital transistors are designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. In the MUN5211DW1T1 series two BRT devices are housed in the SOT-363 package which is ideal for low power surface mount applications where board space is at a premium.

North Star Micro

Bilder

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

MUN5212DW1T1G.

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSOT-363-6

Contact PlatingTin

Number of Pins6

Number of Terminals6

Technical

Collector Emitter Breakdown Voltage50 V

Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V

Continuous Collector Current100 mA

Current Rating100 mA

Element ConfigurationDual

hFE Min60

Max Breakdown Voltage50 V

Max Collector Current100 mA

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation385 mW

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements2

PackagingTape and Reel

PolarityNPN

Power Dissipation187 mW

Schedule B8541210080

Voltage Rating (DC)50 V

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