onsemi MMUN2111LT3G
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Production
Preis und Lagerbestand
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | MMUN2111LT3G | 14.323 | 137 | |||||||||
| Arrow Electronics | MMUN2111LT3G | 14.323 | 1 | |||||||||
| DigiKey | MMUN2111LT3GOSCT-ND | 3.722 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Flip Electronics | MMUN2111LT3G | 10.000 | 2d | |||||||||
| Newark | MMUN2111LT3G | 0 | 20K | Tape & Reel |
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | Fußabdruck | Herunterladen | |
 Ultra Librarian | SymbolFußabdruck | Herunterladen |
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Price @ 1000
$ 0.03
$ 0.029
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Stock
1,911,512
10,553,043
10,553,043
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
SOT-23-3
SOT-23-3
SOT-23-3
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
50 V
50 V
50 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
-
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
-
250 mV
250 mV
hFE Min
35
35
35
Power Dissipation
246 mW
246 mW
246 mW
Lieferkette
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
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Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, Single PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
Diodes Inc.DDTA114ECA-7-F
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
Diodes Inc.DDTA113ZCA-7-F
DDTA Series 200 mW 1 KO / 10 KO PNP Pre-Braised Small Signal Transistor - SOT-23
Diodes Inc.DDTA144WCA-7-F
DDTA144 Series 50 V 30 mA PNP Pre-Biased Small Signal Transistor - SOT-23-3
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi MMUN2111LT3G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
250mV@ 300¦ÌA,10mA PNP - Pre-Biased 400mW 500nA 50V 100mA SOT-23-3,TO-236 2.9mm*1.3mm*940¦Ìm
Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 10 k | TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3
PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
MMUN2111L Series 50 V 100 mA Surface Mount Digital Transistor - SOT-23-3
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
Base Input Resistor R1:10Kohm; Rf Transistor Case:sot-23; Transistor Mounting:surface Mount; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:aec-Q101; Msl:-; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current100 mA
Current Rating-100 mA
Element ConfigurationSingle
hFE Min35
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityPNP
Power Dissipation246 mW
Schedule B8541210080
Voltage Rating (DC)-50 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen