onsemi MJE13005G

Name: onsemi MJE13005G
Brand: onsemi
SKU: MJE13005G

Transistor, Bipolar, Si, NPN, Power, Vceo 700VDC, IC 4A, Pd 2W, TO-220AB, Hfe 40, Ft 4MHZ

$ 0.578

Obsolete

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Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	MJE13005G	0	1	Bulk	0,680	0,680	0,666	0,578	0,476	21h
Avnet	MJE13005G	0	1550							1d
element14 APAC	MJE13005G	0	1		1,000*	0,695*	0,590*	0,426*	0,395*	2h
Farnell	MJE13005G	0	1		0,551*	0,551*	0,390*	0,309*	0,309*	8h
Component Stockers USA	MJE13005G	17.512			0,300	0,300	0,290	0,280	0,280	>1wk

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IHS

Datasheet7 SeitenVor 15 Jahren

onsemi

Farnell

iiiC

RS (Formerly Allied Electronics)

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onsemiMJE13005G

MulticompMJE13005

Price @ 1000

$ 0.578

$ 0.509

Stock

236,484

53,904

Authorized Distributors

Mount

Through Hole

Case/Package

TO-220AB

TO-220

Polarity

NPN

Collector Emitter Breakdown Voltage

400 V

Max Collector Current

4 A

Transition Frequency

4 MHz

Collector Emitter Saturation Voltage

1 V

hFE Min

Power Dissipation

2 W

75 W

Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date1995-07-01

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)

LTB Date2012-03-31

LTD Date2012-09-30

Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi MJE13005G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

TRANSISTOR, BIPOLAR, SI, NPN, POWER, VCEO 700VDC, IC 4A, PD 2W, TO-220AB, HFE 40,FT 4MHZ

RS (Formerly Allied Electronics)

4.0 A, 400 V NPN Bipolar Power Transistor

onsemi

SWITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin

ComSIT Distribution GmbH

Trans GP BJT NPN 400V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

Verical

4 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTOR 400 VOLTS - 75 WATTS

Win Source

RF Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:400V; Package/Case:3-TO-220; Power Dissipation, Pd:2W; DC Current Gain Min (hfe):8; Frequency Min:75MHz; Leaded Process Compatible:Yes ;RoHS Compliant: Yes

Newark

These devices are designed for high-voltage high-speed power switc inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for 115 and 220 V SWITCHMODE applications such as Switching Regulators Inverters Motor Controls Solenoid/Relay drivers and Deflection circuits.

North Star Micro

Bilder

Farnell

RS (Formerly Allied Electronics)

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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1 Teil verfügbar

Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageTO-220AB

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Technical

Collector Base Voltage (VCBO)700 V

Collector Emitter Saturation Voltage1 V

Collector Emitter Voltage (VCEO)400 V

Current Rating4 A

Element ConfigurationSingle

Emitter Base Voltage (VEBO)9 V

Frequency4 MHz

Gain Bandwidth Product4 MHz

hFE Min8

Max Collector Current4 A

Max Frequency4 MHz

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation75 W

Min Operating Temperature-65 °C

Number of Elements1

PackagingBulk

PolarityNPN

Power Dissipation2 W

Transition Frequency4 MHz

Voltage Rating (DC)400 V

Dimensions

Height9.28 mm

Length10.28 mm

Width4.82 mm

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