onsemi MJE13009G

Name: onsemi MJE13009G
Brand: onsemi
SKU: MJE13009G

12 A, 400 V NPN Bipolar Power Transistor

Obsolete

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Preis und Lagerbestand

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Farnell	MJE13009G	0	1		2,271*	2,271*	1,425*	1,142*	1,142*	13h
element14 APAC	MJE13009G	0	1		1,578*	1,101*	0,937*	0,674*	0,626*	2h
Component Stockers USA	MJE13009G	19.353			0,800	0,780	0,760	0,740	0,740	>1wk
Win Source	WS-MJE13009G	800	35				1,194	0,970	0,970	14h
Worldway Electronics	MJE13009G	10.822	7	Tube		0,081	0,079	0,075	0,075	12h

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IHS

Datasheet10 SeitenVor 14 Jahren

onsemi

Farnell

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Lieferkette

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi MJE13009G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

12 A, 400 V NPN Bipolar Power Transistor

onsemi

Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin

IHS

Trans GP BJT NPN 400V 12A 3-Pin (3+Tab) TO-220AB Rail

Verical

Bipolar Transistors - BJT 12A 400V 100W NPN

Fly-Wing Technology

RF Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:400V; Package/Case:3-TO-220; Power Dissipation, Pd:2W; DC Current Gain Min (hfe):6; Frequency Min:100MHz; Leaded Process Compatible:Yes ;RoHS Compliant: Yes

Newark

The MJE13009 is designed for high-voltage high-speed power switching inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for 115 and 220 V switchmode applications such as Switching Regulators Inverters Motor Controls Solenoid/Relay drivers and Deflection circuits.

North Star Micro

Bilder

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageTO-220AB

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Technical

Collector Base Voltage (VCBO)700 V

Collector Emitter Saturation Voltage1 V

Collector Emitter Voltage (VCEO)400 V

Current Rating12 A

Element ConfigurationSingle

Emitter Base Voltage (VEBO)9 V

Frequency4 MHz

Gain Bandwidth Product4 MHz

hFE Min6

Max Collector Current12 A

Max Frequency4 MHz

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation2 W

Min Operating Temperature-65 °C

Number of Elements1

PackagingBulk

PolarityNPN

Power Dissipation2 W

Transition Frequency4 MHz

Voltage Rating (DC)400 V

Dimensions

Height9.28 mm

Length10.28 mm

Width4.82 mm

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