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onsemi MJD253T4G

Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
$ 0.231
Production
Datenblatt
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Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Future Electronics
MJD253T4G
5.000
2500
Tape & Reel
USD
0,230
Newark
4
MJD253T4G
1.627
5
Cut Tape
USD
0,614
0,469
0,337
0,337
Rochester Electronics
MJD253T4G
1.555
USD
0,216
0,180
0,160
22h
Arrow Electronics
MJD253T4G
1.348
12
USD
0,326
0,231
0,231
Verical
MJD253T4G
1.348
12
USD
0,326
0,231
0,180

Datenblätter und Dokumente

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Master Electronics

Datasheet8 SeitenVor 9 Jahren

IHS

onsemi

Newark

Electro Sonic

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
onsemiMJD253T4G
onsemiNJVMJD253T4G
Price @ 1000
$ 0.231
$ 0.416
Stock
656,095
287,276
Authorized Distributors
6
5
Mount
-
-
Case/Package
DPAK
DPAK
Polarity
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
-
Max Collector Current
4 A
4 A
Transition Frequency
40 MHz
40 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
600 mV
-
hFE Min
15
15
Power Dissipation
1.4 W
-

Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-04-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Verwandte Teile

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onsemiMJD42CT4G
6.0 A, 100 V PNP Bipolar Power Transistor
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi MJD253T4G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
Abacus Technologies
Bipolar Transistors (BJT); MJD253T4G; ON SEMICONDUCTOR; PNP; 3; 100 V; 4 A
Maritex
4.0 A, 100 V PNP Bipolar Power Transistor
onsemi
100V 1.4W 40@200mA,1V 4A PNP TO-252 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Dasenic
MJD Series 100 V 4 A PNP Complementary Silicon Plastic Power Transistor TO-252-3
Future Electronics
Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / TRANS PNP 100V 4A DPAK
Win Source
onsemi PNPTransistor, DPAK (TO-252)encapsulation, SMD mount, Maximum DC collector current-4 A, maximum collector-emission voltage-100 V
UnikeyIC
BIP DPAK PNP 4A 100V TR; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100V; Transition Frequency ft: 40MHz; Power Dissipation Pd: 12.5W; DC Collector Current: -4A; DC Current Gain hFE: 40hFE; Transistor Case S
Farnell

Bilder

Newark
Farnell
RS APAC
TME
element14
Newark
RS (Formerly Allied Electronics)
iiiC
LZChips
Future Electronics
element14
Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • ON SEMICOND
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • onsemi / Fairchild
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • MJD253T4G.