onsemi MJD32CT4G
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459,617
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Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
-
-
-
Max Collector Current
3 A
3 A
3 A
Transition Frequency
3 MHz
3 MHz
3 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1.2 V
1.2 V
1.2 V
hFE Min
10
10
10
Power Dissipation
1.56 W
1.56 W
1.56 W
Lieferkette
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
onsemiNJVMJD32CT4G
TRANS PNP 100V 3A DPAK / Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 3 A 3MHz 1.56 W Surface Mount DPAK
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi MJD32CT4G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 3 A 3MHz 1.56 W Surface Mount DPAK
COMPLEMENTARY POWER TRANSISTOR Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
Bipolar Transistors (BJT); MJD32CT4G; ON SEMICONDUCTOR; PNP; 3; 100 V; 3 A
3.0 A, 100 V PNP Bipolar Power Transistor
100V 1.56W 10@3A,4V 3A PNP TO-252 Bipolar Transistors - BJT ROHS
MJD Series 100 V 3 A PNP Complementary Power Transistor - TO-252-3
Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
onsemi PNPTransistor, DPAK (TO-252)encapsulation, SMD mount, Maximum DC collector current-3 A, maximum collector-emission voltage-100 V
Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage Max:100V; Continuous Collector Current:3A; Power Dissipation:15W; Transistor Mounting:Surface Mount; No. of Pins:4Pins; Transition Frequency:3MHz; DC Current Gain hFE Min:10hFE RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Current Rating-3 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency3 MHz
Gain Bandwidth Product3 MHz
hFE Min10
Max Breakdown Voltage100 V
Max Collector Current3 A
Max Frequency3 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation15 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityPNP
Power Dissipation1.56 W
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Transition Frequency3 MHz
Voltage Rating (DC)-100 V
Dimensions
Height2.38 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen