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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-12-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTD20NF10T4
N-channel 100 V, 0.038 Ohm typ., 25 A STripFET II Power MOSFET in a DPAK package
onsemiNVD6495NLT4G
N-Channel Logic Level Power MOSFET 100V, 25A, 50mΩ Automotive Power MOSFET 100V Logic Level
InfineonIRLR3410PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.105Ohm;ID 17A;D-Pak (TO-252AA);PD 79W
InfineonIRLR3410TRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.105Ohm;ID 17A;D-Pak (TO-252AA);PD 79W
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi HUFA76629D3S, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
20 A 100 V 0.055 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-252AA
PWR MOS ULTRAFET 100V/20A/0.055 OHMS N-CH LL TO-252AA
MOSFETs 20a, 100V, 0.054 Ohm Logic Level N-Ch
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Current Rating20 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance55 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time60 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance1.285 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation110 W
Rds On Max52 mΩ
Rise Time28 ns
Turn-Off Delay Time67 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Datenblätter und Dokumente
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