Diodes Inc. DMN10H099SK3-13
$ 0.369
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | DMN10H099SK3-13 | 22.500 | 2500 | 13h | ||||||||
| Newark | DMN10H099SK3-13 | 2.313 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | DMN10H099SK3-13 | 22.500 | 2500 | |||||||||
| DigiKey | DMN10H099SK3-13DICT-ND | 1.255 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMN10H099SK3-13 | 0 | 2500 | 9h |
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 SnapEDA | Fußabdruck | Herunterladen |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-07-24
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.DMN10H100SK3-13
Mosfet, N-Ch, 100V, 18A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN10H100SK3-13
Diodes Inc.DMN10H170SK3-13
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.5A; 0.16ohm; 17W; -55+150 deg.C; SMD; TO252(DPAK)
onsemiHUF76619D3S
18A, 100V, 0.087 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET | MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMN10H099SK3-13, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Mosfet, N-Ch, 100V, 17A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN10H099SK3-13
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 100 V, RoHS
Diodes Inc SCT
100V 17A 34W 80mΩ@10V,3.3A 3V@250uA N Channel TO-252 MOSFETs ROHS
MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgs 1172pF 25.2nC
DiodesZetex NMOS, Vds=100 V, 17 A, DPAK (TO-252), , 3
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R 2.5K
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Capacitance1.172 nF
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Resistance80 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.172 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation34 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max80 mΩ
Rise Time5.9 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time5.4 ns
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