onsemi HUFA75321D3
$ 0.358
Obsolete
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Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-12-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
Verwandte Teile
onsemiHUF75321D3
20A, 55V, 0.036 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs | MOSFET N-CH 55V 20A IPAK
InfineonIRFU5505PBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.11Ohm;ID -18A;I-Pak (TO-251AA);PD 57W
InfineonIRLU024NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.065Ohm;ID 17A;I-Pak (TO-251AA);PD 45W
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi HUFA75321D3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-251
20A, 55V, 0.036 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
93W(Tc) 4V@ 250¦ÌA 44nC@ 20V 1individualNChannel 55V 36m¦¸@ 20A,10V 680pF@25V IPAK Through hole mounting
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Current Rating20 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance36 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time66 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance680 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation93 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation93 W
Rds On Max36 mΩ
Rise Time55 ns
Turn-Off Delay Time47 ns
Voltage Rating (DC)55 V
Datenblätter und Dokumente
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