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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-12-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 7 months ago)
LTB Date2008-03-11
LTD Date2008-09-11
Verwandte Teile
InfineonIRFZ24NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.07Ohm;ID 17A;TO-220AB;PD 45W;VGS +/-20V
InfineonIRLZ24NPBF
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
InfineonIRF9Z34NPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.1Ohm;ID -19A;TO-220AB;PD 68W;VGS +/-20V
NXP SemiconductorsBUK95150-55A,127
Trans MOSFET N-CH 55V 13A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi HUFA75309P3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
PWR MOS ULTRAFET 55V/19A/0.070HMS N-CHANNEL TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 55V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
55W(Tc) 4V@ 250µA 24nC@ 20V 1individualNChannel 55V 70mΩ@ 19A,10V 350pF@25V TO-220-3 Through hole mounting
MOSFETs 19a, 55V N-Channel UltraFET
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)19 A
Current Rating19 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance70 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance350 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation55 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation55 W
Rds On Max70 mΩ
Rise Time39 ns
Turn-Off Delay Time24 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Voltage Rating (DC)55 V
Dimensions
Height20.4 mm
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