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Alternative Teile
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-10-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2009-12-11
LTD Date2010-06-11
Verwandte Teile
InfineonIPB80N06S407ATMA2
60V, N-Ch, 7.1 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T2, PG-TO263-3, RoHS
InfineonIPB45N06S4L08ATMA3
60V, N-Ch, 7.9 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T2, PG-TO263-3, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi HUF76419S3ST, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
60V N-Channel Logic Level UltraFET MOSFET
PWR MOS ULTRAFET 60V/30A/0.042 OHMS N-CH LL TO-263AB T&R
MOSFETs 20a, 60V, 0.043 Ohm Logic Level N-Ch
Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)29 A
Current29 A
Current Rating27 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance40 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time74 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance900 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation75 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation100 W
Rds On Max35 mΩ
Rise Time150 ns
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time5.9 ns
Voltage60 V
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height5.08 mm
Datenblätter und Dokumente
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