onsemi HGTG30N60A4

Transistor IGBT Chip Negative Channel 600 Volt 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
$ 2.68
EOL
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DistributorSKUMinPkg
Rochester ElectronicsHGTG30N60A472
5h
element14 APACHGTG30N60A401
17h
FarnellHGTG30N60A401
5h
Win SourceWS-HGTG30N60A49.20010
6h
Worldway ElectronicsHGTG30N60A425.8607Tube
5h

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet9 SeitenVor 12 Jahren
Datasheet10 SeitenVor 6 Jahren

onsemi

Upverter

Fairchild Semiconductor

Farnell

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Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-03-07
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)

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Details

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi HGTG30N60A4, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Transistor IGBT Chip Negative Channel 600 Volt 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
Jameco
HGTG30N60A4 Series 600 V 75 A Flange Mount SMPS N-Channel IGBT-TO-247
Future Electronics
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
IHS
IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT SMPS Series
Best Source
Ptpigbt To247 60A 600V Rohs Compliant: Yes
Newark
IC REG LINEAR 3.8V 50MA SOT23-5
Utmel Electronic
The HGTG30N60A4 combines the best features of high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. This IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at high frequencies where low conduction losses are essential. This device has been optimized for fast switching applications, such as UPS and welder.
Fairchild Semiconductor
IGBT, N, TO-247; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:75A; Collector Emitter Voltage Vces:2.6V; Power Dissipation Pd:463W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Alternate Case Style:SOT-249; Current Ic Continuous a Max:75A; Current Temperature:25°C; Device Marking:HGTG30N60A4; Fall Time tf:38ns; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-247; Pin Format:GCE; Power Dissipation Max:463W; Power Dissipation Pd:463W; Power Dissipation Pd:463W; Power Dissipation Ptot Max:463W; Pulsed Current Icm:240A; Rise Time:12ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V
element14 APAC

Bilder

DKO Electronshik
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Newark
Newark
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RS
TME
Rochester Electronics
iiiC
Future Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • HGTG30N60A4.
  • HGTG30N60A4..