STMicroelectronics STGW60V60DF
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-01-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 7 months ago)
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IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247 / IGBT Trench Field Stop 600 V 80 A 417 W Through Hole TO-247-3
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STGW60V60DF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 60 A very high speed
375W 80A 600V FS(Field Stop) TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS
Igbt, Single, 600V, 80A, To-247-3; |Stmicroelectronics STGW60V60DF
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
STGW Series Advanced Trench Gate Field Stop Through Hole IGBT - TO-247-2
IGBT Transistors 600V 60A High Speed Trench Gate IGBT
Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
STMicroelectronics IGBT, Max 600V, Max 60A
IGBT Trench gate,600V 60A/100 deg,TO247
IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3
TO247 IGBT 60A 600V TRENCH GAT
STGW60V60DF, 60 A 600 V, 1MHZ, 3-PIN TO-247
IGBT, SINGLE, 600V, 80A, TO-247-3; DC Collector Current: 80A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.85V; Power Dissipation Pd: 375W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600V; Transistor Case Style: TO-247; No. of Pi
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.35 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current120 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation375 W
Min Operating Temperature-55 °C
Power Dissipation375 W
Reverse Recovery Time74 ns
Schedule B8541290080
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant