onsemi HGTG18N120BND

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 390000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
Obsolete
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Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

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onsemi

Datasheet10 SeitenVor 6 Jahren
Datasheet0 SeitenVor 0 Jahren

Upverter

IHS

Fairchild Semiconductor

element14 APAC

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Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2022-01-07
LTD Date2022-07-07
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)

Verwandte Teile

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube / IGBT 1200V 43A 298W TO247
STMicroelectronicsSTGW30NC120HD
N-Channel 1200 V 30 A Very Fast PowerMESH IGBT - TO-247
Igbt Single Transistor, 50 A, 2 V, 385 W, 1.2 Kv, To-247, 3 Rohs Compliant: Yes
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Compliant Through Hole Lead Free TO-247 Halogen Free Production (Last Updated: 2 years ago) 240
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 310000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi HGTG18N120BND, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 390000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
HGTG18N120BND Series 1200 V 54 A Flange Mount NPT N-Channel IGBT-TO-247
IGBT, N, TO-247; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:54A; Collector Emitter Voltage Vces:2.7V; Power Dissipation Pd:390W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:SOT-249; Current Ic @ Vce Sat:18A; Current Ic Continuous a Max:54A; Device Marking:HGTG18N120BND; Fall Time Max:140ns; Fall Time Typ:90ns; Package / Case:TO-247; Power Dissipation Max:390W; Power Dissipation Pd:390W; Power Dissipation Pd:390W; Pulsed Current Icm:160A; Rise Time:22ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:1.2kV
HGTG18N120BND is based on Non- Punch Through(NPT) IGBT designs. The IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as UPS, solar inverter, motor control and power supplies.

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • HGTG18N120BND.