onsemi NGTB25N120SWG
Obsolete
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Lieferkette
Country of OriginVietnam
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-11-25
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 days ago)
LTB Date2019-04-18
LTD Date2019-10-18
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)
Verwandte Teile
InfineonIKW25T120FKSA1
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube / IGBT 1200V 50A 190W TO247-3
onsemiNGTB20N120IHWG
IGBT 20A 1200V TO-247 / IGBT Trench Field Stop 1200 V 40 A 341 W Through Hole TO-247-3
onsemiHGTG11N120CND
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube / IGBT 1200V 43A 298W TO247
InfineonIKW25N120H3FKSA1
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NGTB25N120SWG, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Igbt Single Transistor, 50 A, 2 V, 385 W, 1.2 Kv, To-247, 3 Rohs Compliant: Yes
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 385000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
IGBT, SINGLE, 1.2KV, 50A, TO-247-3
IGBT, SINGLE, 1.2KV, 50A, TO-247-3; DC Collector Current: 50A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 2V; Power Dissipation Pd: 385W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV; Transistor Case Style: TO-247; No. of Pin
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage1.2 kV
Collector Emitter Saturation Voltage2.4 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current50 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation385 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Reverse Recovery Time154 ns
Schedule B8541290080
Dimensions
Height21.4 mm
Length16.25 mm
Width5.3 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen