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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-10-19
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2008-06-06
LTD Date2008-12-06
Verwandte Teile
InfineonIRFI530NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.11Ohm;ID 12A;TO-220 Full-Pak;PD 41W;-55de
InfineonIRLI530NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.1Ohm;ID 12A;TO-220 Full-Pak;PD 41W;-55deg
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQPF19N10L, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 100V 13.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
38W(Tc) 2V@ 250¦ÌA 18nC@ 5V 1N 100V 100m¦¸@ 6.8A,10V 870pF@25V TO-220F
Power Field-Effect Transistor, 13.6A I(D), 100V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)13.6 A
Current Rating19 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance110 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time140 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance870 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation38 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation38 W
Rds On Max100 mΩ
Rise Time410 ns
Turn-Off Delay Time20 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Datenblätter und Dokumente
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