Vishay IRFI530GPBF
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1993-09-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 6 months ago)
LTB Date2008-06-30
LTD Date2008-09-30
Verwandte Teile
InfineonIRFI530NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.11Ohm;ID 12A;TO-220 Full-Pak;PD 41W;-55de
InfineonIRLI530NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.1Ohm;ID 12A;TO-220 Full-Pak;PD 41W;-55deg
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay IRFI530GPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220-3
42W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 33nC@ 10 V 1individualNChannel 100V 160m¦¸@ 5.8A,10V 9.7A 670pF@25V TO-220-3 Through hole mounting
MOSFET N-CHANNEL 100V
NCHAN, TO-220F, 100V, 9.7A
N-CH SINGLE 100V TO220
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -100%
CAD-Modelle
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Alternative Teile
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)9.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance160 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance670 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation42 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation42 W
Rds On Max160 mΩ
Rise Time28 ns
Turn-Off Delay Time34 ns
Turn-On Delay Time8.5 ns
Dimensions
Height9.8 mm
Length10.63 mm
Width4.83 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen