onsemi FQP17N08L
$ 0.506
Obsolete
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Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-09-14
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2008-12-02
LTD Date2009-06-02
Verwandte Teile
InfineonIRFIZ24EPBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package
InfineonIRFI540NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.052Ohm;ID 20A;TO-220 Full-Pak;PD 54W
InfineonIRFI530NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.11Ohm;ID 12A;TO-220 Full-Pak;PD 41W;-55de
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQP17N08L, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
65W(Tc) 2V@ 250¦ÌA 11.5nC@ 5V 1N 80V 100m¦¸@ 8.25A,10V 520pF@25V TO-220-3
Trans MOSFET N-CH 80V 16.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
Power Field-Effect Transistor, 16.5A I(D), 80V, 0.115ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFETs 80V N-Channel QFET Logic Level
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)16.5 A
Current Rating16.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance115 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time75 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance520 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation65 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation65 W
Rds On Max100 mΩ
Rise Time290 ns
Turn-Off Delay Time20 ns
Voltage Rating (DC)80 V
Datenblätter und Dokumente
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