onsemi FQD2N60CTM

Name: onsemi FQD2N60CTM
Brand: onsemi
SKU: FQD2N60CTM

N-channel Power Mosfet, Qfet®, 600 V, 1.9 A, 4.7 Ω, Dpak

$ 0.406

Production

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Preis und Lagerbestand

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics	2	FQD2N60CTM	203					0,396	0,329	0,293	1h
DigiKey	2	FQD2N60CTMCT-ND	2.344	1	Cut Tape	1,400	0,880	0,582	0,412	0,412
Onlinecomponents.com		FQD2N60CTM	0	100	Bulk			0,553	0,406	0,291
Avnet		FQD2N60CTM	0	2500						0,278	4h
Future Electronics		FQD2N60CTM	0	2500	Tape & Reel					0,310

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Upverter

Technical Drawing1 SeiteVor 3 Jahren

Datasheet9 SeitenVor 3 Jahren

IHS

Master Electronics

onsemi

Newark

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Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

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Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FQD2N60CTM, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N-Channel Power MOSFET, QFET®, 600 V, 1.9 A, 4.7 Ω, DPAK

onsemi

Power MOSFET, N Channel, 600 V, 1.9 A, 3.6 ohm, TO-252AA, Surface Mount

Avnet

Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 600V, 4.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252

IHS

MOSFET, N-CH, 600V, 1.9A, TO-252AA-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.9A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):3.6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V;

element14 APAC

This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.

Fairchild Semiconductor

Bilder

Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

FQD2N60CTM.

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageDPAK

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Technical

Continuous Drain Current (ID)1.9 A

Current18 A

Current Rating1.9 A

Drain to Source Breakdown Voltage600 V

Drain to Source Resistance4.7 Ω

Drain to Source Voltage (Vdss)600 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time28 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)30 V

Input Capacitance235 pF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation44 W

Min Breakdown Voltage600 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

Power Dissipation2.5 W

Rds On Max4.7 Ω

Rise Time25 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage4 V

Turn-Off Delay Time24 ns

Turn-On Delay Time9 ns

Voltage650 V

Voltage Rating (DC)600 V

Dimensions

Height2.517 mm

Length6.73 mm

Width6.22 mm