STMicroelectronics STD2LN60K3
$ 0.429
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | STD2LN60K3 | 12.080 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | STD2LN60K3 | 2.500 | 2500 | |||||||||
| Verical | STD2LN60K3 | 2.500 | 2500 | |||||||||
| TME | STD2LN60K3 | 470 | 1 | 17h | ||||||||
| DigiKey | 497-13390-1-ND | 484 | 1 | Cut Tape |
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -8.62%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für STMicroelectronics STD2LN60K3 herunter.
CAD-Modelle
Laden Sie STMicroelectronics STD2LN60K3 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.
| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 SnapEDA | Fußabdruck | Herunterladen |
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-07-27
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTD3NK50ZT4
N-CHANNEL 500V - 2.8 Ohm - 2.3A Zener-Protected SuperMESH MOSFET
STMicroelectronicsSTD2HNK60Z
N-channel 600 V - 4.4 Ω - 2 A - TO-92/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-protected SuperMESH™2; Power MOSFET
onsemiFQD2N60CTF
Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STD2LN60K3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 4 Ohm typ., 2 A, SuperMESH3(TM) Power MOSFET in DPAK package
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 2 A, 4 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
45W(Tc) 30V 4.5V@ 50¦ÌA 12nC@ 10 V 1N 600V 4.5¦¸@ 1A,10V 2A 235pF@50V DPAK 2.63mm
Hv Mosfet Mdmesh |Stmicroelectronics STD2LN60K3
MOSFET N-Ch 600V 4ohm 2A SuperMESH3 FET
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 4.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 2A, TO-252;
Power MOSFETs, 600V, 2A, DPAK, Tape and Reel
STMicroelectronics SCT
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -8.62%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)2 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance4.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Fall Time21 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance235 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation45 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation45 W
Rds On Max4.5 Ω
Rise Time8.5 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time23.5 ns
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für STMicroelectronics STD2LN60K3 herunter.