onsemi FGD5T120SH

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 10A 69000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
$ 1.386
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi FGD5T120SH herunter.

Upverter

Technical Drawing1 SeiteVor 3 Jahren

Master Electronics

IHS

onsemi

Newark

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
+42.33%

CAD-Modelle

Laden Sie onsemi FGD5T120SH Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
Component Search Engine
SymbolFußabdruck
3DHerunterladen
EE Concierge
SymbolFußabdruck
Ultra Librarian
SymbolFußabdruck
Herunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2015-12-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Verwandte Teile

STMicroelectronicsSTGD5H60DF
Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 6.2A 62000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 3.2A 28000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / HighSpeed 2-Technology
IRG4RC10K Series 600 V 9 A Surface Mount UltraFast Speed IGBT - TO-252AA
InfineonIRG4RC10UPBF
600V UltraFast 8-60 kHz Discrete IGBT in a D-Pak package
Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FGD5T120SH, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 10A 69000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Using novel field stop IGBT technology, Fairchild’s new series of field stop 3rd generation IGBTs offer the optimum performance for inrush current limitation, lighting and home appliance applications.
Igbt, Single, N-Ch, 1.2Kv, 10A, To-252-3; Dc Collector Current:10A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(On):2.9V; Power Dissipation Pd:69W; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:1.2Kv; Transistor Case Style:To-252; No. Of Rohs Compliant: Yes |Onsemi FGD5T120SH

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd