STMicroelectronics STGD5H60DF
$ 0.465
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 497-16479-1-ND | 222 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Newark | STGD5H60DF | 2.491 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| TME | STGD5H60DF | 2.230 | 1 | 2h | ||||||||
| Avnet | STGD5H60DF | 0 | 2500 | 15h | ||||||||
| Arrow Electronics | STGD5H60DF | 0 | 2500 |
Bestandsverlauf
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-05-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
onsemiSGR6N60UFTM
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-CHANNEL SINGLE IGBT Transistor 2.6V @ 15V 3A 6A 30W 15ns/60ns
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STGD5H60DF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
Insulated Gate Bipolar Transistor, 10A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252
Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 83W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Discrete IGBTs; STGD5H60DF; STMICROELECTRONICS; 600 V; 10 A; 83 W; 600 V
TRANSISTOR, IGBT, 1.5V, 10A, TO-252-3;
IGBT Transistors PTD IGBT & IPM
83W 10A 600V Trench Field Stop TO-252 IGBTs ROHS
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S
IGBT, SINGLE, 600V, 10A, TO-252; Continuous Collector Current:10A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.5V; Power Dissipation:83W; Collector Emitter Voltage Max:600V; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.95 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Max Breakdown Voltage600 V
Max Collector Current10 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation83 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Reverse Recovery Time134.5 ns
Schedule B8541290080
Datenblätter und Dokumente
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