onsemi FGA6560WDF
$ 2.015
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Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2015-01-27
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
Verwandte Teile
onsemiFGA60N65SMD
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube / IGBT 650V 120A 600W TO3P
InfineonIKW30N65EL5XKSA1
IGBT 650V 30A FAST DIODE TO247-3 / IGBT 650 V 85 A 227 W Through Hole PG-TO247-3
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FGA6560WDF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans IGBT Chip N=-CH 650V 120A 306000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail
IGBT, 650 V, 60 A Field Stop Trench
Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel
IGBT Transistors FS3TIGBT TO3PN 60A 650V
TO-3PN IGBT Transistors / Modules ROHS
Discrete Diode 306W 1.8V 650V 120A TO-3PN TH 18.9mm H
IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-3PN
FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS;
Using novel field stop IGBT technology, Fairchild’s new series of field stop 3rd generation IGBTs offer the optimum performance for Welder applications where low conduction and switching losses are essential.
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
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Alternative Teile
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Technische Spezifikationen
Physical
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight6.401 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage650 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.3 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Max Collector Current120 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation306 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Reverse Recovery Time110 ns
Schedule B8541290080
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen