Infineon IKW30N65EL5XKSA1
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Lieferkette
Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-12-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Verwandte Teile
InfineonIHW40N65R5XKSA1
Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
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IGBT Modules; IKW40N65ES5; INFINEON TECHNOLOGIES; 240; 650 V; 1.35 V; Halogen Free
InfineonIHW50N65R5XKSA1
IHW50N65R5 Series 650 V 80 A 282 W Reverse Conducting IGBT - PG-TO-247-3
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IKW30N65EL5XKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
IGBT 650V 30A FAST DIODE TO247-3 / IGBT 650 V 85 A 227 W Through Hole PG-TO247-3
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 3.8pF 50volts C0G +/-0.1pF
Infineon’s new L5 low saturation voltage (V CE(sat)) TRENCHSTOP™ IGBT family has been specifically optimized for low switching frequencies ranging from 50Hz to 20kHz. Optimization of the carrier profile of the innovative 55µm TRENCHSTOP™ 5 thin wafer technology allows to reduce conduction losses to the intrinsically low level – 1.05V for 30A IGBT and 1.10V for 75A IGBT.
IGBT, SINGLE, 650V, 85A, TO-247; DC Collector Current: 85A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.05V; Power Dissipation Pd: 227W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 650V; Transistor Case Style: TO-247; No. of Pins
Igbt, Single, 650V, 85A, To-247; Continuous Collector Current:85A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.05V; Power Dissipation:227W; Collector Emitter Voltage Max:650V; No. Of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IKW30N65EL5XKSA1
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage650 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.35 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Continuous Collector Current85 A
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current85 A
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation227 W
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements1
Package Quantity240
Power Dissipation227 W
Reverse Recovery Time100 ns
Schedule B8541290080
Switching Frequency50 Hz
Turn-Off Delay Time308 ns
Turn-On Delay Time33 ns
Dimensions
Height25.5 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen