Infineon IGW30N65L5XKSA1

650V, 30A, TO-247-3 Low VCE(sat) IGBT in TRENCHSTOP 5 technology
$ 1.86
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DistributorSKUMinPkg
NewarkIGW30N65L5XKSA13201
Arrow ElectronicsIGW30N65L5XKSA12401
Rochester ElectronicsIGW30N65L5XKSA110
16h
DigiKeyIGW30N65L5XKSA1IN-ND4801Tube
Future ElectronicsIGW30N65L5XKSA10240Tube

Datenblätter und Dokumente

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Lieferkette

Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-12-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

Verwandte Teile

InfineonIKW30N65EL5XKSA1
IGBT 650V 30A FAST DIODE TO247-3 / IGBT 650 V 85 A 227 W Through Hole PG-TO247-3
Details
InfineonIKW30N65NL5XKSA1
Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 3-Pin TO-247 Tube
Details
onsemiNGTG35N65FL2WG
Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Details
InfineonIKW40N65ES5XKSA1
IGBT Modules; IKW40N65ES5; INFINEON TECHNOLOGIES; 240; 650 V; 1.35 V; Halogen Free
Details
onsemiNGTB35N65FL2WG
IGBT, 650V 35A FS2 Solar/UPS 650V/35A FAST IGBT FSII TO-247
Details
onsemiFGH40N65UFDTU
Trans IGBT Chip N=-CH 650V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AB Tube
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IGW30N65L5XKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

650V, 30A, TO-247-3 Low VCE(sat) IGBT in TRENCHSTOP 5 technology
Future Electronics
Infineon’s new L5 low saturation voltage (V CE(sat)) TRENCHSTOP™ IGBT family has been specifically optimized for low switching frequencies ranging from 50Hz to 20kHz. Optimization of the carrier profile of the innovative 55µm TRENCHSTOP™ 5 thin wafer technology allows to reduce conduction losses to the intrinsically low level – 1.05V for 30A IGBT and 1.10V for 75A IGBT.
Infineon
IGBT, SINGLE, 650V, 85A, TO-247; DC Collector Current: 85A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.05V; Power Dissipation Pd: 227W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 650V; Transistor Case Style: TO-247; No. of Pins
Farnell
Igbt, Single, 650V, 85A, To-247; Continuous Collector Current:85A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.05V; Power Dissipation:227W; Collector Emitter Voltage Max:650V; No. Of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IGW30N65L5XKSA1
Newark

Bilder

Newark
Farnell
TME
RS APAC
Future Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IGW30N65L5
  • SP001174472