onsemi FGA60N65SMD
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Offizielles DatenblattVor 6 Jahren
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 SnapEDA | Fußabdruck | 3D | Herunterladen |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-10-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FGA60N65SMD, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube / IGBT 650V 120A 600W TO3P
In a Tube of 30, ON Semiconductor FGA60N65SMD IGBT, 120 A 650 V, 3-Pin TO-3PN
IGBT, 650V, 60A, Field Stop 650V, 60A, Field Stop IGBT
IGBT, 650V, 120A, TO-3PN; DC Collector Current: 120A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.9V; Power Dissipation Pd: 600W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 650V; Transistor Case Style: TO-3PN; No. of Pins: 3Pins;
Using novel field stop IGBT technology, Fairchild’s new series of field stop 2nd generation IGBTs offer the optimum performance for solar inverter, UPS, welder, telecom, ESS and PFC applications where low conduction and switching losses are essential.
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.401 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage650 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.9 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Continuous Collector Current120 A
Element ConfigurationSingle
Fall Time68 ns
Max Collector Current120 A
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation600 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation600 W
Reverse Recovery Time47 ns
Rise Time70 ns
Turn-Off Delay Time104 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height23.8 mm
Length15.8 mm
Width5 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen