onsemi FDZ7064AS
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Bestandsverlauf
Trend in der Bestandsentwicklung nicht verfügbar
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-12-16
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2007-07-09
Verwandte Teile
VishaySI8416DB-T2-E1
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDZ7064AS, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
2.2W(Ta) 3V@1mA 51nC@ 10V 1individualNChannel 30V 5.6mΩ@ 13.5A,10V 1.96pF@15V SMD mount
Trans MOSFET N-CH 30V 13.5A 18-Pin BGA T/R
Power Field-Effect Transistor, 13.5A I(D), 30V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFETs 30V/12V, NCh SYNCFET
N-CHANNEL POWER MOSFET
MISCELLANEOUS MOSFETS;
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
Trend in der Bestandsentwicklung nicht verfügbar
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageBGA
MountSurface Mount
Number of Pins30
Number of Terminals30
Technical
Continuous Drain Current (ID)13.5 A
Current Rating13.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance5.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time18 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.96 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.2 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation2.2 W
Rds On Max5.6 mΩ
Rise Time12 ns
Turn-Off Delay Time39 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
REACH SVHCUnaffected
RoHSNon-Compliant
Compliance-Erklärungen