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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-02-12
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
LTB Date2010-09-23
LTD Date2011-03-23
Verwandte Teile
VishaySI8497DB-T2-E1
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
VishaySI8416DB-T2-E1
VISHAY SI8416DB-T2-E1 MOSFET Transistor, N Channel, 16 A, 8 V, 0.019 ohm, 4.5 V, 350 mV
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDZ208P, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET P-CH 30V 12.5A 18-Pin BGA T/R
30V/25V, 10.5/16.5MO, PCH, SINGLE, BGA 3.5X4, 500A GOX, PTII
30V, PCH POWER TRENCH BGA MOSFET
MOSFETs 30V/25V, PCh MOSFET BGa
Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 30V, 0.0105ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
2.2W(Ta) 25V 3V@ 250µA 35nC@ 5V 1individualPChannel 30V 10.5mΩ@ 12.5A,10V 12.5A 2.409nF@15V BGA SMD mount 4mm*3.5mm*600μm
MOSFET, P, SMD, BGA; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-30V; Current, Id Cont:-12.5A; Resistance, Rds On:10.5mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:-10V; Voltage, Vgs th Typ:-1.5V; Case Style:BGA; Termination Type:SMD
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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CAD-Modelle
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageBGA
MountSurface Mount
Number of Terminals30
Technical
Continuous Drain Current (ID)12.5 A
Current Rating-12.5 A
Drain to Source Resistance10.5 mΩ
Element ConfigurationSingle
Fall Time42 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance2.409 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.2 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2.2 W
Rds On Max10.5 mΩ
Rise Time11 ns
Turn-Off Delay Time74 ns
Voltage Rating (DC)-30 V
Datenblätter und Dokumente
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