onsemi FDZ7296
$ 0.79
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
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Bestandsverlauf
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CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-12-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
Verwandte Teile
VishaySI8497DB-T2-E1
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDZ7296, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
2.1W(Ta) 3V@ 250µA 31nC@ 10V 1individualNChannel 30V 8.5mΩ@ 11A,10V 1.52pF@15V SMD mount
030 BALLS, FC-30B MOSFET BGA, 4.0 X 3.5MM PKG, SMD (Z5)<AZ
MOSFETs 30V N-Ch PowerTrench BGA MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageBGA
MountSurface Mount
Number of Pins18
Number of Terminals18
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Current Rating11 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance8.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.52 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.1 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2.1 W
Rds On Max8.5 mΩ
Rise Time4 ns
Turn-Off Delay Time27 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Datenblätter und Dokumente
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