onsemi FDZ7064N
$ 1.204
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-04-27
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
LTB Date2007-10-20
LTD Date2008-04-20
Verwandte Teile
VishaySI8497DB-T2-E1
P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDZ7064N, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
2.2W(Ta) 2V@ 250µA 43nC@ 4.5V 1individualNChannel 30V 7mΩ@ 14.5A,10V 3.843pF@15V SMD mount
30V/12V, 7.5/6.5MO, NCH, SINGLE, BGA 3.5X4, 300A GOX, PTII
Trans MOSFET N-CH 30V 13.5A 18-Pin BGA T/R
MOSFETs 30V N-Ch BGa MOSFET Logic Level
Power Field-Effect Transistor, 13.5A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageBGA
MountSurface Mount
Number of Pins30
Number of Terminals30
Technical
Continuous Drain Current (ID)13.5 A
Current Rating13.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time18 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance3.843 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation2.6 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2.2 W
Rds On Max7 mΩ
Rise Time9 ns
Turn-Off Delay Time71 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSNon-Compliant
Compliance-Erklärungen