onsemi FDU8876
$ 0.654
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-03-24
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
onsemiNTD4806N-1G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 11.3A Ta 79A Tc 79A 2.14W 4.7ns
STMicroelectronicsSTU75N3LLH6
N-channel 30 V, 0.0042 Ohm, 75 A, IPAK STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDU8876, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFETs 30V,73A,8.2 OHM,NCH PWR TRENCH MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
N-Channel PowerTrench MOSFET
MOSFET N-CH 30V 15A/73A IPAK
N-CHANNEL POWER MOSFET
MISCELLANEOUS MOSFETS;
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)15 A
Current Rating116 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance10 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time37 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.7 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation70 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation70 W
Rds On Max8.2 mΩ
Rise Time91 ns
Turn-Off Delay Time44 ns
Voltage Rating (DC)30 V