onsemi FDN86246
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2010-12-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
InfineonIRLML0100TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 1.6 A, 220 Milliohms, SOT-23, 3 Pins, Surface Mount
InfineonIRLML2803TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.25Ohm;ID 1.2A;Micro3;PD 540mW;VGS +/-20V
InfineonIRLML2803GTRPBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 1.2A, MICRO3; Transistor Polarity:N Channel; Con
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDN86246, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
FDN86246 Series 150 V 1.6 A 261 mOhm N-Ch PowerTrench Mosfet - SuperSOT-3
N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V 1.6A, 261mΩ
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced Power Trench® process that has been optimized for rDS(on), switching performance and ruggedness.
MOSFET, N CH, 150V, 1.6A, SSOT-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.6A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):0.195ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3.4V; Power Dissipation Pd:1.5W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SuperSOT; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-23-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance261 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time2.9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance225 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3.4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation600 mW
Rds On Max261 mΩ
Rise Time1.1 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.4 V
Turn-Off Delay Time8 ns
Turn-On Delay Time4.5 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Length1.4 mm
Width2.92 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen